電子電鍍是指將一層薄薄的金屬，例如銅，鎳， 錫, 金，銀，鉑，銠，鈀，或其合金金屬鍍覆于電子元器件表面。電子電鍍過(guò)程可廣泛用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，既包括批次電鍍過(guò)程的線(xiàn)路板電鍍，接插件電鍍，也包括用于生產(chǎn)半導(dǎo)體、連接器、電子工業(yè)用的其它部件的多樣化的持續(xù)電鍍過(guò)程。

　　在這些過(guò)程中，可溶性陽(yáng)極和惰性鈦陽(yáng)極都會(huì)用到。

　　1. 線(xiàn)路板反向脈沖鍍銅

　　由于線(xiàn)路板的設(shè)計(jì)要求趨向于細(xì)線(xiàn)徑、高密度、細(xì)孔徑(高的深徑比，甚至微通孔)、填盲孔，傳統(tǒng)的直流電鍍變得越來(lái)越不能達(dá)到要求，尤其在通孔電鍍的孔徑中心的鍍層，通常出現(xiàn)孔徑兩端之銅層過(guò)厚但中心銅層不足的現(xiàn)象。該鍍層不均勻的情況將影響電流輸送的效果，直接導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量的不良。為了平衡在表面，特別在孔和微孔中的銅的厚度，迫使降低電流密度，但是這樣會(huì)延長(zhǎng)電鍍時(shí)間到不可接受的地步。隨著反向脈沖電鍍工藝和適合于電鍍工藝的化學(xué)添加劑的開(kāi)發(fā)，縮短電鍍時(shí)間成為了現(xiàn)實(shí)，這些問(wèn)題都可由反向脈沖電鍍工藝來(lái)克服。

　　典型工藝條件

　　電解質(zhì)： CuSO4?5H2O, 100-300 g/l

　　H2SO4, 50-150 g/l

　　Additive

　　溫度 : 20- 70 °C

　　電流密度： 通常500-1000A/M2的正向脈沖電流和三倍的反向脈沖電流；一般正向脈沖19ms, 反向1ms ；或根據(jù)工藝調(diào)整電流密度和脈沖時(shí)間

　　陽(yáng)極類(lèi)型：專(zhuān)用銥金屬氧化物混合物涂層

　　2. 線(xiàn)路板垂直連續(xù)直流鍍銅

　　典型工藝條件

　　電解質(zhì) : CuSO4?5H2O, 200-240 g/l

　　H2SO4, 80-100 g/l

　　Cl-, 40-55 ppm

　　Additives

　　溫度 : 20- 70 °C

　　電流密度: 100 - 500 A / m2 DC

　　陽(yáng)極類(lèi)型： 專(zhuān)用銥金屬氧化物混合物涂層鈦陽(yáng)極；對(duì)添加劑的消耗量有特殊要求

　　3. 線(xiàn)路板鍍金

　　在電子元器件的端點(diǎn)接觸部分電鍍一層鎳、錫或金可以改善其導(dǎo)電性能。在線(xiàn)路板制造中，通常通過(guò)電鍍沉積一層鎳/金，可使得接觸點(diǎn)具有低的接觸阻抗、好的耐磨性和抗氧化性能，以及對(duì)腐蝕的防護(hù)。

　　典型工藝條件：

　　電解質(zhì) 酸性/氰化物體系,光亮劑和添加劑

　　Au : 4-10 g/l

　　CN- : 低濃度

　　PH : 4-5

　　溫度： 50-60 °C

　　電流密度： 0.1 – 1.0 ASD; 平均 0.2 ASD

　　陽(yáng)極種類(lèi)： 鉑以及銥金屬氧化物涂層（Ir MMO Coating）都可使用；電鍍鉑陽(yáng)極上鉑的厚度可在1um-10um之間任意選擇，甚至更厚

　　4.其他領(lǐng)域

　　- 半導(dǎo)體元器件電鍍：卷對(duì)卷電鍍，接觸器件電鍍，引線(xiàn)框架電鍍，電拋光，選擇性點(diǎn)鍍等

　　- 貴金屬電子電鍍: 包括鍍金、鍍銀、鍍鈀、鍍銠、鍍釕等

　　- 電鍍槽水處理和金屬回收

　　工藝條件：

　　電解質(zhì)，酸性/氰化物體系,光亮劑和添加劑

　　PH : 4-5

　　溫度 : 30 - 70 ℃

　　電流密度 : 250 - 30,000 A / m2

　　陽(yáng)極種類(lèi) ： 電鍍白金鈦網(wǎng)陽(yáng)極以及銥金屬氧化物涂層（Ir MMO Coating）都可使用；